In der Arbeitsgruppe im Fachgebiet Grundlagen von Energiematerialien stellen wir Nanodrähte (ND) aus III-V-Halbleitern in unterschiedlichen Bauelementstrukturen für die Energieumwandlung und andere Hochleistungsanwendungen her und analysieren sie. Für die Charakterisierung der ND verwenden wir verschiedene materialwissenschaftliche Charakterisierungsmethoden, darunter ein spezielles 4-Spitzen-Rastertunnelmikroskop. In diesem von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) geförderten Projekt befassen wir uns gemeinsam mit unseren Projektpartnern an der Universität Duisburg-Essen mit III-Nitrid-Resonanz-Tunnel-Dioden in ND-Kern-Hülle-Strukturen, mit dem Ziel, die Leistungsfähigkeit im THz-Bereich zu verbessern. Zu den zentralen Herausforderungen zählen dabei die Kristallqualität der Heterostrukturen und die internen Polarisationsfelder.

Ihre Aufgaben

Die Stelle umfasst folgende Aufgabengebiete:

• Analyse und Bewertung von mittels Metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) gewachsenen III-V Halbleiterstrukturen insbesondere von resonanten Tunneldioden.
• Elektrische Charakterisierung der erzeugten Strukturen durch den Einsatz eines 4-Spitzen-Rastertunnelmikroskops sowie Elektronenstrahl-induzierte Strommessungen in Hinblick auf Ladungsträgertransportwege.
• Materialwissenschaftliche Analyse der Nanodraht-Morphologie, Untersuchung der verschiedenen Strukturbereiche insbesondere der lokalen Zusammensetzungsunterschiede mittels Rasterelektronenmikroskopie und energiedispersive Röntgenspektroskopie.
• fachliche Unterstützung des Fachgebiets bei der Lehre, z.B. themenrelevante Abschlussarbeiten.
• Publikation und Präsentation der Ergebnisse auf nationalen und internationalen Tagungen und in Zeitschriften.

Ihr Profil

Für die Teilnahme am Auswahlverfahren werden vorausgesetzt:

• ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master/ Dipl. (Univ.)) mit überdurchschnittlichen Leistungen in einem natur-, material- oder ingenieurwissenschaftlichen Studiengang (z. B. Physik, Chemie, Regenerative Energietechnik, Materialwissenschaften oder Elektrotechnik)

Darüber hinaus sind wünschenswert:

• fundierte Kenntnisse der Halbleiterphysik sind obligatorisch
• Kenntnisse der Naturwissenschaften (Physik, Chemie), Materialwissenschaften und/oder Ingenieurwesen im Bereich Halbleiterherstellung
• Fähigkeit, selbstständig und verantwortungsbewusst in einem innovativen, interdisziplinären Team und Forschungsumfeld zu arbeiten
• Sprachkenntnisse (Englisch B2 Niveau, Deutsch B2 Niveau)

Bitte weisen Sie die in der Stellenausschreibung geforderten Qualifikationen an Hand von Urkunden sowie Zeugnissen nach.

Die Stelle ist nicht teilzeitgeeignet.

Die Auswahlgespräche werden voraussichtlich in der KW 14 oder 15/2026 stattfinden.

Was wir Ihnen bieten:

• attraktive tarifliche Vergütung (lt. TV-L) inkl. der Gewährung einer Jahressonderzahlung
• Urlaubsanspruch von 30 Tagen im Kalenderjahr und zusätzliche freie Tage am 24./ 31.12.
• familienfreundliches, flexibles Arbeitszeitmodell
• VBL - Altersvorsorge im öffentlichen Dienst
• vielseitige individuelle Weiterbildungsmöglichkeiten
• umfangreiche Gesundheits- und Sportangebote
• wertschätzendes Arbeitsumfeld einer renommierten Universität